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    igbt模块的特点说明

    日期:2022-04-19 15:59
    浏览次数:329
    摘要:
        igbt模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。

       在IGBT使用过程中,可以通过控制其集-射极电压UCE和栅-射极电压UGE的大小,从而实现对IGBT导通/关断/阻断状态的控制。

        1)当IGBT栅-射极加上加0或负电压时,MOSFET内沟道消失,IGBT呈关断状态。

        2)当集-射极电压UCE<0时,J3的PN结处于反偏,IGBT呈反向阻断状态。

        3)当集-射极电压UCE>0时,分两种情况:

         若栅-射极电压UGE<Uth,沟道不能形成,IGBT呈正向阻断状态。

         若栅-射极电压UGE>Uth ,栅极沟道形成,IGBT呈导通状态(正常工作)。此时,空穴从P+区注入到N基区进行电导调制,减少N基区电阻RN的值,使IGBT通态压降降低。

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